LED特种照明

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    适用于低成本高亮度LED制造的MOCVD技术进展

    帖子创建时间:  2013年07月05日 16:24 评论:0 浏览: 172 投稿
    欢迎加入OFweek热心网友QQ群适用于低成本高亮度LED制造的MOCVD技术进展 由于新应用范围激发的驱动,LED技术快速地进步。用于笔记本电脑、桌上型电脑显示器和大屏幕电视的背光装置是当今高亮度LED的关键应用,为将要制造的大量LED创造需求。除了数量方面之外,这种LED也必须满足关于性能和成本的严格要求。因此,生产技术对LED制造商的成功而言很重要,超出了以往任何时候。 高亮度LED的关键制造技术之一是MOCVD技术。由于整个竖式LED结构采用MOCVD技术生长,这种技术不仅仅决定LED的质量和性能,而且在很大程度上决定LED制造的产量和成本。因此,MOCVD生产率的优化和营运成本的减少是MOCVD系统制造商的一个关键目标。影响MOCVD工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析,我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。 通过采用更大的晶圆尺寸改善产率(4英寸和6英寸) 所有LED(蓝、绿或白光的LED)的主要部分是以GaN/InGaN/AlGaN材料为基础。到目前为止,大部分LED都是在2英寸蓝宝石衬底上制造的。因此,近年以来,MOCVD产率的任何进展都是通过增加MOCVD反应炉的载荷量而获得。当前GaN/InGaN/AlGaN生长的最流行MOCVD系统是行星反应炉和近耦合喷淋头式反应炉,分别供给42片2英寸和31片2英寸两种晶圆(图1)。这些转化成令人难忘的高产率和低拥有成本。然而,这通过转变成较 大晶圆尺寸而进一步改善。在这个时候,一些主要LED制造商已经开始转入4英寸,并且大部分其他的制造商打算进行同样的转变。由于MOCVD工具已经具备适合大尺寸晶圆生长的能力,这个决定是很容易的。在上述提及的MOCVD系统中,从2英寸到4英寸(甚至6英寸)晶圆的转变可以仅仅通过更换MOCVD反应炉中的一些部件配置很容易地完成。然而主要的反应腔和部件将保持相同,因此使调整硬件和工艺的需要减到最小。 通过这样做,比如行星反应炉,可以从一个42×2'' 设置转化成一个11×4''或6×6''类型。虽然这样转换的成本相对低,但是在产率方面有明显的效益。为了获得定量的了解,计算相当于不同晶圆直径的满晶圆负荷的总晶圆面积是有帮助的。42×2'' 配置相当于851cm2。转换成11×4'' 或 6×6'' 分别产生891cm2和1094cm2的晶圆面积。可以从这些数字计算产率的相对增加。另外,必须考虑到外部几毫米通常排除在可用晶圆面积之外。如果选择了较大晶圆面积,那么已排除面积占总晶圆面积的百分数明显更低。表1显示了这种计算的结果。 然而上面讨论的产率增加,并不是增加MOCVD系统生产率的唯一措施。同时,外延片的均匀性必须改善到确保LED工艺的最高芯片成品率的一个水 2012-4-23 10:40:48 上传 下载附件 (61.09 KB) 适用于低成本高亮度LED制造的MOCVD技术进展.pdf (2.34 MB, 下载次数: 7) 2012-4-23 10:41:03 上传 下载次数: 7 下载积分: 金币 -5 MOCVD系统的温度控制研究与设计 大功率LED关键技术MOCVD介绍 MOCVD设备未来发展模式之猜想 利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化_英 英文版MOCVD生长 MOCVD工艺温度的测量与控制 适用于低成本高亮度LED制造的MOCVD技术进展
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