沙子成为晶圆(Wafer)一般并不能直接用于生产，需要再进行其他的工艺。

如果需要作出PET电子标签需要再进行长金球，在进行CP测试，剪薄划片，随后倒封装制成标签

如果做成智能卡则不需要长金球，直接进行CP测试，剪薄划片，随后进行封装成COB，在作出半成品中料而后制成成品卡。

长金球

1. 晶圆进料检验

2. 真空溅镀

①　通过溅镀机，在高真空的条件下，在晶圆整个表面上附着一层钛钨层，和一层 金层

②　钛钨层作用是防止铝垫和金发生共金，影响导电性

③　金层是为后续电镀流程做准备

①　钛钨层作用是防止铝垫和金发生共金，影响导电性

②　金层是为后续电镀流程做准备

3. 光阻涂布

①　通过光阻涂布机的高速旋转，使晶圆表面均匀覆盖一层一定厚度的光阻

②　光阻为一种具有特殊光学性能的有机物，在半导体行业作为“模具”使用

4. 曝光反应

①　通过曝光对准机，紫外光照射到光阻上，使光阻曝光反应

②　光罩的作用：根据产品的设计要求，使光学选择性的照射到光阻上

③　由于光阻的特殊光学特性，照到光线的光阻其化学性质将发生改变

5. 光阻显影

①　晶圆放入显影槽内，未照过光的光阻因化学性质改变，会同槽内的药液发生反应被去除，照过光的光阻则不发生反应而保留

②　通过此过程，晶圆表面部分区域无光阻覆盖，后续即在该区域电镀金凸块，金凸块电镀的“模具”完成

6. 电镀

①　将晶圆放入电镀溶液中，通电进行电镀，通过参数控制，在无光阻覆盖的区域生长出一定高度的金凸块

7. 光阻去除

①　金凸块电镀完成后，光阻的模具作用完成

②　将晶圆放入光阻反应槽，晶圆表面的光阻同槽内的药液发生反应，去除

8. 溅镀金蚀刻

①　金凸块电镀完成后，之前整片晶圆表面真空溅镀的金层和钛钨层需去除，防止金凸块之间电导通短路

②　将晶圆放入金蚀刻槽，晶圆表面的溅镀金层同槽内的药液发生反应，去除

9. 溅镀钛钨蚀刻

①　将晶圆放入钛钨蚀刻槽，晶圆表面的溅镀钛钨层同槽内的药液发生反应，去除

10. 电镀金回火

①　将晶圆放入高温烘箱或回火炉内，通过高温对电镀金回火韧化，使金凸块硬度降低

11. 出货检验

CP测试

CP测试的目的是将一盘Wafer中的芯片哪个好那个坏检测出来，坏的芯片（Die）做好标签，用墨点标记出来或者生成一张MAP图，MAP图中芯片的好坏区别开

后面的生产工厂根据墨点或者MAP图摘片

剪薄划片

背面剪薄：将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到封装需要的厚度（8mils~10mils）；磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域，同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；

晶圆切割：将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；

在产品出货前，通过检验设备，对产品进行质量检验；质量符合规格，产品加工流程完成

以上就是晶圆（Wafer）的前道工艺工序，经过这些工艺后，就可以直接将Wafer销售给客户，可以封装成COB，或者倒封装制作成PET电子标签