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    RFID射频识别技术浅析——Wafer前道工序

    帖子创建时间:  2020年04月03日 13:31 评论:0 浏览: 88 投稿

    沙子成为晶圆(Wafer)一般并不能直接用于生产,需要再进行其他的工艺。

    如果需要作出PET电子标签需要再进行长金球,在进行CP测试,剪薄划片,随后倒封装制成标签

    如果做成智能卡则不需要长金球,直接进行CP测试,剪薄划片,随后进行封装成COB,在作出半成品中料而后制成成品卡。

     

    长金球

    1. 晶圆进料检验

    2. 真空溅镀

    ① 通过溅镀机,在高真空的条件下,在晶圆整个表面上附着一层钛钨层,和一层 金层

    ② 钛钨层作用是防止铝垫和金发生共金,影响导电性

    ③ 金层是为后续电镀流程做准备

    ① 钛钨层作用是防止铝垫和金发生共金,影响导电性

    ② 金层是为后续电镀流程做准备

    3. 光阻涂布

    ① 通过光阻涂布机的高速旋转,使晶圆表面均匀覆盖一层一定厚度的光阻

    ② 光阻为一种具有特殊光学性能的有机物,在半导体行业作为“模具”使用

    4. 曝光反应

    ① 通过曝光对准机,紫外光照射到光阻上,使光阻曝光反应

    ② 光罩的作用:根据产品的设计要求,使光学选择性的照射到光阻上

    ③ 由于光阻的特殊光学特性,照到光线的光阻其化学性质将发生改变

    5. 光阻显影

    ① 晶圆放入显影槽内,未照过光的光阻因化学性质改变,会同槽内的药液发生反应被去除,照过光的光阻则不发生反应而保留

    ② 通过此过程,晶圆表面部分区域无光阻覆盖,后续即在该区域电镀金凸块,金凸块电镀的“模具”完成

    6. 电镀

    ① 将晶圆放入电镀溶液中,通电进行电镀,通过参数控制,在无光阻覆盖的区域生长出一定高度的金凸块

    7. 光阻去除

    ① 金凸块电镀完成后,光阻的模具作用完成

    ② 将晶圆放入光阻反应槽,晶圆表面的光阻同槽内的药液发生反应,去除

    8. 溅镀金蚀刻

    ① 金凸块电镀完成后,之前整片晶圆表面真空溅镀的金层和钛钨层需去除,防止金凸块之间电导通短路

    ② 将晶圆放入金蚀刻槽,晶圆表面的溅镀金层同槽内的药液发生反应,去除

    9. 溅镀钛钨蚀刻

     

    ① 将晶圆放入钛钨蚀刻槽,晶圆表面的溅镀钛钨层同槽内的药液发生反应,去除

    10. 电镀金回火

    ① 将晶圆放入高温烘箱或回火炉内,通过高温对电镀金回火韧化,使金凸块硬度降低

    11. 出货检验

    CP测试

    CP测试的目的是将一盘Wafer中的芯片哪个好那个坏检测出来,坏的芯片(Die)做好标签,用墨点标记出来或者生成一张MAP图,MAP图中芯片的好坏区别开

    后面的生产工厂根据墨点或者MAP图摘片

    剪薄划片

    背面剪薄:将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到封装需要的厚度(8mils~10mils);磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域,同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;

    晶圆切割:将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落;通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序;Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer

     

    在产品出货前,通过检验设备,对产品进行质量检验;质量符合规格,产品加工流程完成

     

    以上就是晶圆(Wafer)的前道工艺工序,经过这些工艺后,就可以直接将Wafer销售给客户,可以封装成COB,或者倒封装制作成PET电子标签

     

    江苏稻源科技集团有限公司
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