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    N沟道增强型同步整流MOS-SPN80T10

    帖子创建时间:  2016年08月30日 12:15 评论:1 浏览: 423 投稿

    SPN80T10

    说明应用
    该SPN80T10是N沟道增强型
    这是使用超产生的电力场效应晶体管高密度的DMOS沟道技术。该SPN80T10已经专门设计来提高整体
    利用DC / DC变换器的效率同步或传统开关PWM控制器。 它一直低栅极电荷,低RDS(ON)和快速优化
    开关速度。
    供电系统

    DC / DC转换器
    负荷开关

     

    特点引脚配置
    100V /85A,RDS(ON)=8.2mΩ@VGS=10V
    高密度电池设计极低的RDS(ON)
    优异的导通电阻和最大直流电流能力
    TO-220-3L/ TO-220F-3L/ TO-251/ TO-252封装设计

    深圳市汇世丰电子有限公司
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